为什么晶体硅电池片需要干燥处理呢？晶体硅电池片表面羟基（-OH）残留会使PID效应发生率提升300%，EVA胶膜含水率＞0.1%时将导致透光率下降5%（ASTM D1003测试）。钙钛矿材料对湿度极度敏感，RH＞30%环境会使CH3NH3PbI3分解速率加快8倍（XRD表征验证）。

 

干燥工艺的核心参数：

 

硅片清洗：采用红外干燥（120℃/90s）使表面接触角达85°以上（GB/T 30449标准）；

 

背板处理：PPF材料需在85℃、-70kPa真空环境下干燥2小时，确保水汽透过率＜0.01g/m²·day；

 

组件层压：露点温度必须控制在-40℃以下，避免玻璃/背板界面产生牛顿环（干涉条纹间距＞5mm）。

 

经达标干燥的多晶硅组件：

 

 

LID光衰降低至1.2%/年（常规工艺为2.5%）；

 

湿热测试（85℃/85%RH）后功率衰减＜3%（IEC 61215标准）；

 

绝缘阻抗维持＞100MΩ（UL 1703要求）。